功率半导体（以 IGBT 为主）关键静态参数详解与正确测试方法
给出实际工程中最常用的测试方法（基于 JEDEC/IEC 标准、Keysight/Keysight B1505A、Tektronix 等设备实践）。所有参数均针对 IGBT（绝缘栅双极晶体管），而非普通 BJT。
1. VCE(sat) — 集电极-发射极饱和电压（Collector-Emitter Saturation Voltage）
正确名称：VCE(sat) 或 VCEsat
定义：IGBT 在导通饱和状态下（VGE = 推荐驱动电压，如 +15V），在指定集电极电流 IC 下，C-E 间的电压降。
典型值：1.5–2.5 V（1200V 级 IGBT，视电流/温度而定）
测试方法（工程标准方式）：
- 设备：高精度源表（如 Keysight B1505A、Keithley 系列）或参数分析仪
- 连接：C 接正极电流源，E 接地；G 加固定 VGE（通常 +15V 或 datasheet 指定值）
- 施加脉冲电流 IC（脉冲宽度短，避免自热，如 300 μs）
- 测量 VCE 值 → 即 VCE(sat)
- 条件示例：IC = 额定电流的 1/2 ~ 额定值，Tj = 25℃ / 12
