模拟ic设计，集成电路，运算放大器 [1]各种运放现成电路大合集，适合新手 单极放大器 五管运放 套筒运放 折叠运放 各种比较器 轨到轨运放 全差分放大器 CMFB共模反馈 [2]工艺库tsmc180nm，比较基础，入门合适，有testbench和仿真状态打包一起 [3]对于模拟集成电路设计，运算放大器的设计是基础，而基础知识决定了你的高度，务必重视基础。 第二版的英文版答案(1000多页) 需要其他的模集教材也可以一并附赠(见图5)
刚入模拟IC设计坑那会儿，总被各种运放结构绕得头晕。实验室师兄甩给我个压缩包，说"先把这些吃透再说"，打开一看密密麻麻的电路图差点当场劝退。今天就把这些年在tsmc180nm工艺上折腾运放的经验，结合经典教材里的干货，给大伙儿掰扯掰扯。
先看这个单极放大器（图1），菜鸟村入场券。别看它结构简单，调管子宽长比的时候能让你怀疑人生。举个实际参数：M1的W/L=10u/1u，负载电流镜M2-M3取20u/0.5u。用HSPICE仿DC工作点时，记得在网表里加.op语句：
VDD vdd 0 1.8 Vin in 0 dc 0.9 ac 1 M1 out in vdd vdd pmos W=10u L=1u M2 out in 0 0 nmos W=20u L=0.5u仿真完别急着跑，先看gm值是不是在2mS左右。有次我把nmos的L输错成5u，跨导直接掉到0.5mS，输出摆幅也废了——所以说基础参数检查比啥都重要。
五管运放算是进阶版（图2），重点在差分对和尾电流源的设计。最近在调一个增益要求60dB的版本，发现尾电流源M5的vdsat必须大于200mV才能避免进入线性区。这里有个小技巧：用.calculate语句自动算尺寸：
.param Ibias=50u .calculate W5= {Ibias/(0.5*80u*0.2^2)}tsmc180的model文件里lambda参数约0.1，所以输出阻抗ro=1/(lambda*Id)。实测时发现共模抑制比CMRR总比理论值低，后来发现是差分对管M1-M2的对称布局没做好，金属线走了个蛇形走线引入寄生电阻差异...
说到套筒式和折叠式运放（图3-4），新手容易纠结选哪种。上周帮学弟调一个2.5V电源电压的电路，用套筒式的话电平移位不够，果断切折叠式。关键在cascode管子的偏置电压生成，这里推荐用VCM自偏置电路：
M9 vcm vb1 vb2 vss nmos W=5u L=0.5u M10 vcm vb3 vb4 vdd pmos W=8u L=0.5u仿真时突然出现震荡，相位裕度只剩20度。灵机一动在输出端加了个10fF的补偿电容，再用.step语句扫描电容值找最佳点：
Ccomp out 0 10f .step Ccomp list 5f 10f 15f现在手头这套tsmc180的PDK里，testbench已经封装了蒙特卡洛分析脚本。跑完工艺角别只看typical情况，有次在ff corner下发现增益暴跌，查了半天是电流镜失配超了3σ。建议新手一定要跑完ss/tt/ff/sf/fs五个corner，最好加上蒙特卡洛统计。
最后唠叨句：Gray的那本《Analysis and Design of Analog Integrated Circuits》第四章我翻烂了，里面推导的增益表达式和实际仿真结果能精确到小数点后两位。别被现在AI画版图的热潮带偏，手算小信号模型的能力才是立足之本。最近在整理Allen的习题答案电子版，想要的兄弟留言区吱一声，咱江湖再见！
)
