news 2026/8/4 8:00:20

XM25LU128DWIQT-XMC(武汉新芯)SPI NOR Flash芯片说明书

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张小明

前端开发工程师

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文章封面图
XM25LU128DWIQT-XMC(武汉新芯)SPI NOR Flash芯片说明书

1.8V 128M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI/DTR

XMC(武汉新芯)XM25LU128DWIQT SPI NORFLASH芯片特性

全新 SPI 闪存系列

XM25LU128D:128 兆位 / 16 兆字节

标准 SPI:时钟(CLK)、片选(/CS)、数据输入(DI)、数据输出(DO)、写保护(/WP)、保持(/Hold)

双路 SPI:时钟(CLK)、片选(/CS)、IO0、IO1、写保护(/WP)、保持(/Hold)

四路 SPI:时钟(CLK)、片选(/CS)、IO0、IO1、IO2、IO3

四路外围接口(QPI):时钟(CLK)、片选(/CS)、IO0、IO1、IO2、IO3

SPI/QPI 双倍数据速率(DTR)读取

高性能串行闪存

166MHz 单路、双路 / 四路 SPI 时钟

80MHz 普通读取

108MHz 双倍数据速率(DTR)时钟

可配置虚拟周期数,实现快速读取操作

超过 10 万次擦除 / 编程循环

超过 20 年数据保留期

支持 8/16/32/64 字节环绕的突发读取

高效 “连续读取” 与 QPI 模式

支持 8/16/32/64 字节环绕的连续读取

四路外围接口(QPI)减少指令开销

支持真正的片上执行(XIP)操作

高性能编程 / 擦除速度

页编程时间:典型值 0.2 毫秒

扇区擦除时间:典型值 25 毫秒

32KB 块擦除时间:典型值 100 毫秒

64KB 块擦除时间:典型值 150 毫秒

整片擦除时间:典型值 20 秒

宽电源电压范围、宽工作温度范围

完整电压范围:1.65-2.0V

工作温度范围:-40°C 至 + 105°C

低功耗

典型待机电流:12 微安

典型深度掉电电流:0.5 微安

4KB 扇区灵活架构

统一扇区 / 块擦除(4K/32K/64K 字节)

每可编程页支持 1-256 字节编程

擦除 / 编程暂停与恢复功能

高级安全特性

软件与硬件写保护

电源锁定与一次性可编程(OTP)保护

顶部 / 底部、互补阵列保护

每颗器件配备 128 位唯一标识符(Unique ID)

支持串行闪存可发现参数(SFDP)签名

3 组可 OTP 锁定的 2048 字节安全页

易失性与非易失性状态寄存器位

封装:WSON 5x6 8L;

深圳市微效电子有限公司作为XMC武汉新芯集成电路股份有限公司一级代理商,主要产品:SPI NOR Flash存储芯片产品系列方案,提供一站式电子元器件采购、原厂FAE技术支持及项目报备,提供选型替代,免费送样,让客户享受到高性价比的电子元件采购,大量现货,保证原装正品!深圳+香港双仓库交货,应用场景:广泛应用于计算机、消费电子、汽车电子、工业控制、物联网设备等领域.

XM25LU128DWIQT SPIFLASH芯片概述

XM25LU128D(128 兆位)串行闪存为空间、引脚资源及功耗受限的系统提供存储解决方案。25LU 系列兼具远超普通串行闪存器件的灵活性与性能,适用于代码映射至 RAM、通过双路 / 四路 SPI 直接执行代码(XIP,片上执行)以及语音、文本和数据存储等场景。该器件采用 1.65V 至 2.0V 单电源供电,深度掉电模式下电流消耗低至 0.5 微安,全系列产品均提供节省空间的封装形式。

XM25LU128D 的存储阵列划分为 65536 个可编程页,每页 256 字节,单次最多可编程 256 字节。页可按 16 页组(4KB 扇区擦除)、128 页组(32KB 块擦除)、256 页组(64KB 块擦除)或整片(整片擦除)进行擦除操作,器件分别包含 512 个可擦除扇区和 32 个可擦除块。4KB 小扇区设计为需要数据和参数存储的应用提供了更高灵活性(详见图 2)。

XM25LU128D 支持标准串行外设接口(SPI)、双路 / 四路 I/O SPI 以及双时钟指令周期的四路外围接口(QPI),接口引脚包括串行时钟(CLK)、片选(/CS)、串行数据 I/O0(DI)、I/O1(DO)、I/O2(/WP)和 I/O3(/HOLD)。器件支持最高 166MHz 的 SPI 时钟频率,当使用快速读取双路 / 四路 I/O 及 QPI 指令时,双路 I/O 等效时钟速率可达 332MHz,四路 I/O 等效时钟速率可达 664MHz。XM25LU128D 新增双倍数据速率(DTR)命令支持,其传输速率优于标准异步 8 位和 16 位并行闪存。连续读取模式可通过仅 8 个时钟周期的指令开销实现 24 位地址读取,支持高效的存储器访问及真正的片上执行(XIP)操作。

器件配备保持引脚(/HOLD)、写保护引脚(/WP)以及可编程写保护功能(支持存储阵列顶部 / 底部区域控制),提供更灵活的控制选项。此外,器件支持 JEDEC 标准厂商及器件 ID、串行闪存可发现参数(SFDP)寄存器、128 位唯一序列号以及 3 个 2048 字节的安全寄存器。

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