OM6625A射频电路硬件设计主要介绍了OM6625A芯片在硬件电路设计时的具体规范、注意事项和Layout（布局布线）要求，帮助硬件工程师使用OM6625A时保证射频性能和产品稳定性。
一、晶振需求：
32MHz 晶体，OM6625A 片内集成了负载电容(可调范围：0~24pF，初始化前芯片默认是12pF，SDK 默认配置是 13.6pF)，一个 step = 0.38pF 左右，外部的负载电容可不焊接，预留电容位置，具体选择与调试要求如下：
二、电源滤波电路：
OM6625A 芯片供电电压为 1.71V~3.6V 电压，需要经过滤波电路，得到干净的电源，VCC芯片外部供电脚，需要加 0.1uF 和 1uF 的去耦电容，PCB 设计时，电容尽量靠近芯片的 VCC Pin 脚放置。
OM6625A 内部 LDO（DVDD Pin）需要加上 0.1uF 和 1uF 去耦电容，PCB 设计时，这些尽量靠近芯片的 DVDD Pin 脚放置。
OM6625A 的 VDD1P2 引脚为内部供电引脚，需要外接 0.1uF 与 10uF 的去耦电容。
三、电源电压检测：
OM6625A 系列芯片自带电压检测功能，如果电池的最大供电电压不超过 3.6V，那么芯片自身就可以读取电池的当前的电压，无需外加电压检测电路。
如果供电电池的最大电压超出了 3.6V，那么要想通过芯片检测电池的电量，可以设计一外部分压电路，通过具有 ADC 功能的 IO 接口实现电池电量的检测。
四、天线匹配线路：
RF 天线匹配电路设计，针对板载式、贴装式等类型的天线，建议 IC 按照 T 型网络进行匹配，天线按照Π型网络进行匹配，如图所示。而针对外接式(如 FPC)、外置式(如棒状天线) 等类型天线，只需预留 T 型网络即可，如图所示。
注意，图中匹配值仅为参考值，RF 天线匹配电路中匹配值需要根据实际应用环境进行调节。
五、OM6625A 芯片 Layout
OM6625A 为 QFN 封装的芯片，其芯片 EPAD（原理图 Pin0）必须接地，PCB 做库的时 候在芯片中心需加接地的 EPAD，为保证与 PCB 底层 bottom 的地平面完整接地，EPAD 中心 至少需要 5 个 GND 过孔，而且手工焊接时需预先在 EPAD 上加锡处理。 OM6625A 芯片下面 对应的 bottom 层尽量不要有走线和元器件，特别是靠近射频匹配电路和晶体电路的部分， 完整的地平面能保证良好的芯片性能。
6、其他：
（1）磁性器件要远离天线和晶振，避免造成干扰。
（2）为了保证芯片良好的接地，对于芯片中间的 EPAD，应保证 EPAD 下方有完整的地 平面，且需要在 EPAD 上打尽可能多的 GND 过孔。
（3）除 EPAD 之外的 GND PAD，特别是电容，需要保证就近至少有一个 GND 过孔。
