张小明
前端开发工程师
当AI算力需求进入爆发式增长阶段，高带宽内存（HBM）已从存储行业的“细分赛道”跃升为决定AI芯片性能上限的核心支柱。当前全球HBM市场呈现“需求爆棚、产能告急、技术迭代加速”的格局，2026年部分厂商产能已被全额预订，带动上游设备供应链迎来确定性红利。
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HBM的核心价值的是通过“3D堆叠+先进互连”技术，解决传统DRAM带宽不足、功耗过高的痛点，其技术壁垒集中在堆叠层数提升与芯片间互连精度控制两大环节，直接决定了设备需求的复杂度与高价值性。
与传统单列DRAM不同，HBM采用多层DRAM芯片垂直堆叠设计，通过硅通孔（TSV）和键合技术实现芯片间的电气连接，大幅缩短数据传输路径。以最新的HBM4为例，其传输速度较HBM3E提升60%，功耗降低70%，单颗DR
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