国产芯片EMI SRAM替代ISSI SRAM

EMI的快速异步SRAM产品，采用CMOS工艺，接口为TTL兼容，三态输出，全静态操作，无需时钟与刷新。容量跨度为1Mb至32Mb，覆盖6个密度档；数据组织分为x8与x16两个方向；EMI SRAM供电电压提供四档——1.8V（L）、3.3V（N）、5.0V（H），以及1.65V~3.6V宽压（W）。速度包含8ns、10ns、12ns与45ns、55ns五档。封装编码提供44脚TSOP Type II（V）、48球BGA（L）与裸片（B）三种形态。

国产芯片EMI SRAM可以替代ISSI SRAM，EMI的W系列用一颗覆盖1.65V~3.6V全区间，EMI 2Mb系列封装为44脚TSOP Type II，与ISSI IS61WV系列同封装产品的脚位定义一致：引脚1至17依次为A4、A3、A2、A1、A0、片选、DQ0–DQ3、VCC、VSS，控制信号为片选、写使能、输出使能与UB/LB字节控制，数据与地址线序对齐。换言之，在44脚TSOP Type II这一路，替换不需改板即可上焊。