news 2026/6/23 8:15:55

AH40G10是40V 10A双N+P沟道增强型MOSFET

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张小明

前端开发工程师

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AH40G10是40V 10A双N+P沟道增强型MOSFET

一、输入l35*38o6-7573简介:

AH40G10是具有高单元密度的高性能互补N-ch和P-ch MOSFET,为大多数同步降压转换器应用提供出色的 RDSON 和栅极电荷。AH40G10符合RoHS和绿色标准。

The AH40G10 is the high performance
complementary N-ch and P-ch MOSFETs
with high cell density, which provide
excellent RDSON and gate charge for
most of the synchronous buck converter
applications.
The AH40G10 meet the RoHS and Green

AH40G10是40V 10A双N+P沟道增强型MOSFET:绿色器件可用  超低栅极电荷  优异的CdV/dt效应衰减  先进的高单元密度沟槽科技, 技术性机器

AH40G10是一款40V/10A双N+P沟道增强型MOSFET,采用高密度沟槽技术,具有超低栅极电荷和优异的CdV/dt特性。该器件适用于同步降压转换器应用,提供出色的导通电阻性能,符合RoHS和绿色环保标准。其先进技术确保了高性能表现,是电源管理应用的理想选择。

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